型号: TPCS8209(TE12L,Q)
功能描述: MOSFET N-ch 20V 5A 0.03 ohm
制造商: Toshiba
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 3,000
FET 型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点: Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS): 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 5A
Rds(最大)@ ID,VGS: 30 mOhm @ 4A, 4V
VGS(TH)(最大)@ Id: 1.2V @ 200µA
栅极电荷(Qg)@ VGS: 15nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的: 1280pF @ 10V
功率 - 最大: 600mW
安装类型 : Surface Mount
包/盒 : 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件封装: 8-TSSOP
包装材料 : Tape & Reel (TR)
最大门源电压: ±12
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
通道模式: Enhancement
标准包装名称: TSSOP
最低工作温度: -55
渠道类型: N
封装: Tape and Reel
最大漏源电阻: 30@4V
最大漏源电压: 20
每个芯片的元件数: 2
供应商封装形式: TSSOP
最大功率耗散: 1100
最大连续漏极电流: 5
引脚数: 8
铅形状: Gull-wing
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