型号:  TPCS8209(TE12L,Q)

功能描述:   MOSFET N-ch 20V 5A 0.03 ohm

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  30 mOhm @ 4A, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  15nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1280pF @ 10V

功率 - 最大：  600mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

供应商器件封装：  8-TSSOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±12

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  TSSOP

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  30@4V

最大漏源电压：  20

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  TSSOP

最大功率耗散：  1100

最大连续漏极电流：  5

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing