型号: TPCS8213(TE12L,Q)
功能描述: MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 6A Rdson=0.012Ohm
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 3,000
FET 型 ： 2 N-Channel (Dual)
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 6A
Rds（最大）@ ID，VGS： 12 mOhm @ 4.8A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id： 1.4V @ 200µA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 48nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 3140pF @ 10V
功率 - 最大： 350mW
安装类型 ： Surface Mount
包/盒 ： 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件封装： 8-TSSOP
包装材料 ： Tape & Reel (TR)
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