型号: TPD3215M
功能描述:
制造商: Transphorm
FET 类型： 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 70A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 34 毫欧 @ 30A，8V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 28nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2260pF @ 100V
功率 - 最大值： 470W
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： 模块
供应商器件封装： 模块
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
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