型号: TPH3300CNH
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TPH3300CNH, 29 A, Vds=150 V, 8引脚 SOP封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 29 A
最大漏源电压: 150 V
最大漏源电阻值: 33 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: SOP
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 8
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 57 W
典型接通延迟时间: 16 ns
典型关断延迟时间: 17 ns
典型输入电容值@Vds: 810 pF @ 75 V
典型栅极电荷@Vgs: 10.6 nC @ 10 V
每片芯片元件数目: 1
宽度: 5mm
高度: 0.95mm
正向二极管电压: 1.2V
尺寸: 5 x 5 x 0.95mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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