型号: TPH4R606NH
功能描述: Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH4R606NH, 85 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 85 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 11 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOP 高级
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 63 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 5mm
高度： 0.95mm
系列： TPH
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 49 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 3050 pF @ 30 V
典型关断延迟时间： 37 ns
典型接通延迟时间： 24 ns
尺寸： 5 x 5 x 0.95mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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