型号: TPH6R30ANL,L1Q
功能描述: MOSFET U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-Advance-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 66 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 55 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 54 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: TPH6R30ANL
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Toshiba
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
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