型号: TPH8R008NH,L1Q
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表: TPH8R008NH -
标准包装: 5,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 34A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 8 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3000pF @ 40V
功率 - 最大值: 61W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-SOP 高级
其它名称: TPH8R008NHL1QTPH8R008NHL1QTR
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