型号: TPN2R703NL
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TPN2R703NL, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 TSON封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 90 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 4.1 m0hms
最大栅阈值电压： 2.3V
最小栅阈值电压： 1.3V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： TSON
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 42 W
典型接通延迟时间： 11.5 ns
典型关断延迟时间： 24 ns
典型输入电容值@Vds： 1600 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs： 21 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 3.1mm
高度： 0.85mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 3.1 x 3.1 x 0.85mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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