型号:  TPN4R712MD,L1Q

功能描述:  MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSON Advance-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  36 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  65 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  42 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  3.1 mm

系列:  TPN4R712MD

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  3.1 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  145 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  443 ns

典型接通延迟时间:  18 ns

单位重量:  20 mg