型号: TPN8R903NL,LQ(S
功能描述: MOSFET N-Ch 30V 37A 10uA TSON8 Advance
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 37 A
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 12.7 m0hms
最大栅阈值电压: 2.3V
最小栅阈值电压: 1.3V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TSON
安装类型: 表面贴装
晶体管配置: 单
引脚数目: 8
通道模式: 增强
类别: 开关调节器 MOSFET
最大功率耗散: 22 W
典型接通延迟时间: 8.3 ns
典型关断延迟时间: 14 ns
典型输入电容值@Vds: 630 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs: 9.8 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
最高工作温度: +150 °C
高度: 0.85mm
每片芯片元件数目: 1
宽度: 3.1mm
正向二极管电压: 1.2V
尺寸: 3.1 x 3.1 x 0.85mm
系列: U-MOSVIII-H
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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