型号: TPS1110D
功能描述: MOSFET Single P-channel Logic-Level MOSFET 8-SOIC
制造商: Texas Instruments
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 7 V
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms at 4.5 V
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 7 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
商标: Texas Instruments
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 22 ns
最小工作温度: - 40 C
上升时间: 22 ns
系列: TPS1110
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 5.8 ns
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