型号: TPT5609-A-AP
功能描述: DIODE
制造商: Micro Commercial Co
包装: 带盒（TB）
系列: -
零件状态: 停產
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 20V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）: 500mV @ 80mA，800mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 60 @ 500mA，2V
功率 - 最大值: 750mW
频率 - 跃迁: 190MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
供应商器件封装: TO-92
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