型号: TPW4R008NH,L1Q
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TPW4R008NH
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 116A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5300pF @ 40V
功率 - 最大值： 800mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerWDFN
供应商器件封装： 8-DSOP Advance
其它名称： TPW4R008NH,L1Q(MTPW4R008NHL1QTR
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