型号: TPWR8503NL
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TPWR8503NL, 300 A, Vds=30 V, 8引脚 DSOP封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 300 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 1.3 m0hms
最大栅阈值电压： 2.3V
最小栅阈值电压： 1.3V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： DSOP
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 142 W
典型接通延迟时间： 23 ns
典型关断延迟时间： 89 ns
典型输入电容值@Vds： 5300 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs： 74 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 5mm
高度： 0.73mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 5 x 5 x 0.73mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：赵洋
电话：15553741900
Q Q:
联系人：王先生
Q Q:
联系人：郑
电话：15563751808
Q Q:
