型号: TRS12E65C,S1Q(S
功能描述: Diode, SiC SBD, 650V/12A, TO220-2
制造商: Toshiba
二极管配置： 单路
最大连续正向电流： 12A
每片芯片元件数目： 1
峰值反向重复电压： 650V
安装类型： 通孔
封装类型： TO-220
二极管技术： 碳化硅肖特基
引脚数目： 2
最大正向电压降： 1.7V
长度： 10.03mm
宽度： 4.45mm
高度： 15.11mm
峰值非重复正向浪涌电流： 60A
峰值反向电流： 90µA
尺寸： 10.03 x 4.45 x 15.11mm
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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