型号: TSB15N10A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W(Tc) 类型：N沟道
制造商: 无锡紫光微
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 150A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.2mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 208W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：张靖杰
电话：15875801632
Q Q:
联系人：罗明敏
Q Q:
联系人：曹先生
电话：13487865852
Q Q:
