型号: TSF10N80M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：240W 类型：N沟道
制造商: Truesemi(信安)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A
栅源极阈值电压: 5V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 240W
类型: N沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：刘
Q Q:
联系人：李海波
电话：14701527774
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：18823775498
Q Q:
