型号:  TSM061NA03CV RGG

功能描述:  MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PDFN33-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  66 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  19.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  44.6 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  Rectifiers

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  51 S

下降时间:  7.8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.8 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  34.4 ns

典型接通延迟时间:  11.6 ns