型号: TSM090N08PQ56
功能描述: MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 80 A
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 125 nC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN-56-8
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：夏
电话：13682303540
Q Q:
联系人：彭文忠
电话：13546869533
Q Q:
联系人：陈先生
电话：15361557480
Q Q:
