型号: TSM120N10PQ56
功能描述: MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 25 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 145 nC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN-56-8
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
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Q Q:
联系人：余先生，张先生
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Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
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联系人：李
Q Q:
联系人：张生
Q Q:
联系人：l刘
Q Q:
联系人：谢振林
电话：13611086852
Q Q:
