型号: TSM12N02CP
功能描述: MOSFET 20V 12A 60W
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
商标: Taiwan Semiconductor
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5.35 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 9.95 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 21.85 ns
典型接通延迟时间: 8.1 ns
零件号别名: R0
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