型号: TSM12N65CIC0
功能描述: MOSFET 650V 6A N Channel Power Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
晶体管极性: N-Channel
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Taiwan Semiconductor
工厂包装数量: 1000
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：宁先生
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Q Q:
联系人：洪
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Q Q:
联系人：柯小姐
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Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
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Q Q:
联系人：何珩
电话：15051595517
Q Q:
联系人：黄生
电话：18820164505
Q Q:
联系人：佘文
电话：18682480906
Q Q:
