型号:  TSM130NB06CR RLG

功能描述:  MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PDFN56-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  51 A

Rds On-漏源导通电阻:  13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  36 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  83 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  TSM

晶体管类型:  Single N-Channel Power MOSFET

商标:  Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  45 S

下降时间:  17 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  19 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  17 ns

典型接通延迟时间:  3 ns