型号:  TSM150P03PQ33 RGG

功能描述:  MOSFET -30V, -36A, Single P Channel Power MOSFET

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PDFN33-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  36 A

Rds On-漏源导通电阻:  13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  29.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  27.8 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  19 S

下降时间:  14.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  21.8 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  59.8 ns

典型接通延迟时间:  9 ns