型号: TSM190N08CZ C0G
功能描述: MOSFET 75V N Channel Power Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 190 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 160 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 75 V
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 6 g
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