型号: TSM20N50CI
功能描述: MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 18 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 30 V
Vgs th-栅源极阈值� 1000 ��压: 4 V
Qg-栅极电荷: 54 nC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
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Q Q:
联系人：洪
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联系人：彭先生，许娜
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联系人：庄先生
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联系人：钟晓纯
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联系人：范妍菲
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Q Q:
