型号: TSM2302CX RF
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商: Taiwan Semiconductor
最大门源电压: ±8
安装: Surface Mount
包装宽度: 1.4(Max)
PCB: 3
最大功率耗散: 1250
最大漏源电压: 20
欧盟RoHS指令: Compliant
最大漏源电阻: 65@4.5V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: SOT-23
标准包装名称: SOT-23
最高工作温度: 150
渠道类型: N
包装长度: 3.05(Max)
引脚数: 3
通道模式: Enhancement
包装高度: 0.95(Max)
最大连续漏极电流: 2.8
封装: Tape and Reel
铅形状: Gull-wing
类别: Power MOSFET
配置: Single
外形尺寸: 3.05 x 1.4 x 0.95mm
身高: 0.95mm
长度: 3.05mm
最大连续漏极电流: 2.8 A
最大漏源电阻: 0.065 Ω
最大漏源电压: 20 V
最大门源电压: ±8 V
最高工作温度: +150 °C
最大功率耗散: 0.9 W
最低工作温度: -55 °C
安装类型: Surface Mount
包装类型: SOT-23
典型栅极电荷@ VGS: 3.69 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS: 427.12 pF V @ 6
典型关闭延迟时间: 16.61 ns
典型导通延迟时间: 6.16 ns
宽度: 1.4mm
RoHS指令: Compliant
连续漏极电流: 2.8 A
栅源电压(最大值): �8 V
功率耗散: 1.25 W
漏源导通电阻: 0.065 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏源导通电压: 20 V
弧度硬化: No
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