型号:  TSM2312CX RF

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R

制造商:  Taiwan Semiconductor

最大门源电压：  ±8

安装：  Surface Mount

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  450

最大漏源电压：  20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  33@4.5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOT-23

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

渠道类型：  P

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

通道模式：  Enhancement

包装高度：  1.1(Max)

最大连续漏极电流：  4.9

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

类别：  Switching

配置：  Single

外形尺寸：  3.1 x 1.7 x 1.2mm

身高：  1.2mm

长度：  3.1mm

最大连续漏极电流：  4.9 A

最大漏源电阻：  51 mΩ

最大漏源电压：  20 V

最大门源电压：  ±8 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  0.75 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Surface Mount

包装类型：  SOT-23

典型栅极电荷@ VGS：  11 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS：  500 pF V @ 10

典型关闭延迟时间：  70 ns

典型导通延迟时间：  25 ns

宽度：  1.7mm

RoHS指令：  Compliant

连续漏极电流：  4.9 A

栅源电压（最大值）：  �8 V

功率耗散：  0.45 W

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  20 V

弧度硬化：  No