型号:  TSM2N100CH C5G

功能描述:  MOSFET 1000V, 1.85A, Single N-Channel Power MOSFET

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1 kV

Id-连续漏极电流:  1.85 A

Rds On-漏源导通电阻:  6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  17 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  77 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

下降时间:  44 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  14 ns

工厂包装数量:  3750

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  78 ns

典型接通延迟时间:  31 ns

单位重量:  340 mg