型号: TSM2N7000CT
功能描述: MOSFET 60V 0.2A 0.35W
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
商标: Taiwan Semiconductor
Id-连续漏极电流: 200 mA
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 5300 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
封装: Ammo Pack
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2000
零件号别名: A3
联系人：郑小姐
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Q Q:
联系人：杨先生
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联系人：蔡经理，张小姐
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Q Q:
