型号:  TSM3N90CI C0G

功能描述:  MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  ITO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  900 V

Id-连续漏极电流:  2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  17 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  32 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

晶体管类型:  N-Channel Power MOSFET

商标:  Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  3 S

下降时间:  31 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25 ns

工厂包装数量:  2000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  63 ns

典型接通延迟时间:  16 ns