型号: TSM4425CS RLG
功能描述: Taiwan Semiconductor N沟道 MOSFET TSM4425CS RLG, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
制造商: Taiwan Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 11 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 19 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： SOP
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 8
通道模式： 增强
最大功率耗散： 2.5 W
长度： 4.85mm
最低工作温度： -55 °C
高度： 1.37mm
每片芯片元件数目： 1
正向跨导： 23S
正向二极管电压： 1.3V
最高工作温度： +150 °C
典型栅极电荷@Vgs： 64 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 3680 pF @ -8 V
典型关断延迟时间： 100 ns
典型接通延迟时间： 15 ns
宽度： 3.9mm
尺寸： 4.85 x 3.9 x 1.37mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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