型号: TSM4NB65CZ C0G
功能描述: MOSFET 650V 4AMP N-Channel Power MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 13.46 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 1.800 g
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