型号:  TSM600P03CS RLG

功能描述:  MOSFET 30V P-Channel Power MOSFET

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOP-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  4.7 A

Rds On-漏源导通电阻:  44 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  5.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.1 A

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  3.5 S

下降时间:  6.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10.8 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26.9 ns

典型接通延迟时间:  3.4 ns