型号: TSM650P02CX RFG
功能描述: MOSFET 20V P channel Power Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 6.4 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.56 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 11.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17.4 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40.7 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
单位重量: 8 mg
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