型号:  TSM6866SDCA RVG

功能描述:  MOSFET Dual 20V N channel Mosfet

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSSOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  6.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  15 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  15 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.04 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Taiwan Semiconductor

下降时间:  2000 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  210 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  3700 ns

典型接通延迟时间:  140 ns

单位重量:  191 mg