型号: TSM7N65CIC0
功能描述: MOSFET 650V 3Amp N Channel Pwr MOSFET Isolated
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Qg-栅极电荷: 46 nC
Pd-功率耗散: 30 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Reel
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 3.7 S
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 1000
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
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Q Q:
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联系人：肖瑶，树平
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联系人：王黎鹰
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联系人：李小姐
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Q Q:
