型号: TSM850N06CX
功能描述: MOSFET
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6.1 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms/85 mOhms
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 9.3 nC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王小姐，陈先生
电话：15989811809
Q Q:
联系人：欧阳莹
电话：13510131896
Q Q:
联系人：李亿
电话：15875549923
Q Q:
