型号: TSM900N06CH X0G
功能描述: MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251S-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 9.3 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 5.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.5 ns
工厂包装数量: 3750
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18.4 ns
典型接通延迟时间: 2.9 ns
单位重量: 340 mg
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：周小姐，高先生，曹先生，骆小姐
电话：13760272017
Q Q:
联系人：路小姐
电话：15210320829
Q Q:
联系人：劉
Q Q:
联系人：Lisa
Q Q:
