型号: TSM9N90ECI C0G
功能描述: MOSFET 900V 9Amp 1.4 N channel Mosfet
制造商: Taiwan Semiconductor
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: ITO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.13 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 72 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 89 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 159 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 97 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 212 ns
典型接通延迟时间: 52 ns
单位重量: 1.700 g
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