型号:  TT8M3TR

功能描述:  MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSST-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  2.5 A, 2.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  3.6 nC, 6.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.25 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  3 mm

产品:  MOSFET

类型:  Power MOSFET

宽度:  1.6 mm

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  2.7 S, 2.4 S

下降时间:  17 ns, 45 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  17 ns, 25 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28 ns, 55 ns

典型接通延迟时间:  9 ns, 9 ns

零件号别名:  TT8M3