型号: TTC012(Q)
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 375 V
集电极—基极电压 VCBO: 800 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 8 V
集电极—射极饱和电压: 500 mV
最大直流电集电极电流: 2 A
最大工作温度: + 150 C
系列: TTC012
直流电流增益 hFE 最大值: 250 at 1 mA, 5 V
封装: Bulk
商标: Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA, 5 V
Pd-功率耗散: 1.1 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 200
子类别: Transistors
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