型号:  UCY2V101MHD3TN

功能描述:  

制造商:  Nichicon

应用:  通用

纹波电流:  790mA @ 120Hz

引线间距:  0.295"（7.50mm）

尺寸 :  0.709" 直径（18.00mm）

高度 - 安装（最大值）:  1.043"（26.50mm）

安装类型:  通孔

封装/外壳:  径向，Can

容值:  100uF

偏差:  ±20%

额定电压:  350V

不同温度时的使用寿命:  105°C 时为 12000 小时

工作温度:  -40°C ~ 105°C

极化:  极化

FET 类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  33A（Ta），90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  81nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:  10V

Vgs（最大值）:  ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  5118pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:  13V

功率耗散（最大值）:  2.5W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:  1.5 毫欧 @ 33A，10V

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs