型号: UF3C065030K4S
功能描述: MOSFET 650V 30m? SiC Cascode Fast
制造商: UnitedSiC
制造商: UnitedSiC
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 85 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 51 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 441 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Tube
系列: UF3C
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: UnitedSiC
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
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