型号: UJ3N120035K3S
功能描述: JFET 35m? - 1200V SiC Normally-On JFET
制造商: UnitedSiC
制造商: UnitedSiC
产品种类: JFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
配置: Single
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 63 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Pd-功率耗散: 429 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: UnitedSiC
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
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