型号: ULN2003AFWG,O,N,E
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1.6V @ 500µA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 50µA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳: 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOL
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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