型号: ULN2003APG,CN
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 1.6V @ 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值): 50µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 1000 @ 350mA,2V
功率 - 最大值: 1.47W
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳: 16-DIP
供应商器件封装: 16-DIP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
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