型号: ULN2004AFWG,N,E
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1.6V @ 500µA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 50µA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳: 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOL
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：刘吉勇
电话：18814467775
Q Q:
联系人：林
Q Q:
联系人：张志明
电话：13751502497
Q Q:
