型号: UM6K1NTN
功能描述: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: UM6K1N
晶体管类型: 2 N-Channel MOSFET
类型: MOSFET
宽度: 1.25 mm
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 80 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: UM6K1N
单位重量: 7.500 mg
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