型号:  UM6K1NTN

功能描述:  MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  100 mA

Rds On-漏源导通电阻:  8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4 V

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  UM6K1N

晶体管类型:  2 N-Channel MOSFET

类型:  MOSFET

宽度:  1.25 mm

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  80 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  35 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  80 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

零件号别名:  UM6K1N

单位重量:  7.500 mg