型号: UMG4N-7
功能描述: 双极晶体管 - 预偏置 150mW 100mA
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 是
配置: Dual Common Emitter
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 10 kOhms
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-353-5
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
峰值直流集电极电流: 100 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: UMG4N
封装: Reel
直流电流增益 hFE 最大值: 600
高度: 1 mm
长度: 2.2 mm
宽度: 1.35 mm
商标: Diodes Incorporated
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 6 mg
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